Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT)

O IGBT é um dispositivo mais completo que o BJT e o MOSFET. Ele aproveita as características boas tanto de um como de outro, como por exemplo, impedância de entrada alta e baixas perdas de chaveamento do MOSFET e baixa perda de condução do BJT. A Figura 9 mostra a estrutura física e o símbolo do IGBT.

A estrutura do IGBT é composta por quatro camadas P e N alternadas. O seu controle é semelhante ao do MOSFET, por tensão, e o seu funcionamento é o mesmo do BJT e do MOSFET como chave, controlando a porta, podemos fazer com que o caminho entre coletor e emissor esteja fechado ou aberto.