MOSFET

Metal oxide semiconductor field effect transistor ou transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor: o nome pode assustar um pouco, mas o MOSFET é tão simples de se entender quanto os outros dispositivos semicondutores estudados até então. Os MOSFET se parecem muito com os JFET, entretanto um ponto chave da sua construção determina a diferença entre eles. O contato metálico da porta (gate) é separado do substrato interior por uma camada isolante (de dióxido de silício), fazendo com que a impedância de entrada dos MOSFET seja ainda maior do que a dos JFET, que já eram grandes! Isso implica em correntes também menores no terminal da porta.

Sua natureza também permite uma miniaturização maior do que a do transistor bipolar de junção. Eles podem ser fabricados numa escala vinte vezes menor do que o TJB, permitindo o seu uso em circuitos integrados, por exemplo.

Existem dois tipos de MOSFET, os de acumulação e os de depleção. Os MOSFET do tipo depleção funcionam de forma semelhante aos JFET com uma particularidade. Com a diminuição da tensão do gate, temos o aumento do valor da corrente. Mas se a polaridade muda, temos a continuação do aumento da corrente, diferente do comportamento apresentado pelo JFET. Veja as figuras a seguir.

Repare que a corrente continua a subir mesmo do lado direito do gráfico, o que não acontece no JFET. Essa é uma característica do MOSFET de depleção. Já o MOSFET de acumulação, por ter uma construção diferenciada, funciona somente com tensões positivas de VGS. Veja o seu gráfico na figura seguinte:

Note, também, a natureza não linear da subida da tensão, outra característica do MOSFET de acumulação. Essas curvas são chamadas curvas de transferência.