Polarização Reversa (VD < 0)

O semicondutor tipo N tem excesso de elétrons. Eles vão ser atraídos pelo polo positivo da fonte de tensão. Como os átomos dessa região vão perder elétrons, mais íons positivos são formados.

Da mesma forma, o lado do semicondutor tipo P possui um excesso de lacunas, ou seja, uma falta de elétrons que vai ser preenchida pelos elétrons provindos do polo negativo da bateria. Sendo assim, por receberem mais elétrons, íons negativos são formados.

Os íons positivos e negativos vão se agrupando na junção e, com isso, eles vão ampliando a região de depleção. Essa barreira dificulta ainda mais a passagem de elétrons da região P para a N. Ou seja, não haverá circulação dos portadores majoritários pelo circuito, não haverá corrente elétrica! E isso não mudará com a tensão aplicada. Quanto maior essa tensão entre os terminais do diodo, maior a barreira de potencial.