Polarização Direta (VD > 0)

O semicondutor tipo N tem excesso de elétrons. Tais elétrons não conseguem ultrapassar a barreira criada pelos íons da região de depleção porque a força elétrica criada pelos íons negativos do lado do semicondutor tipo P da junção é maior que a força elétrica criada pela lacuna, logo atrás dela.

Se conectarmos o terminal negativo de uma fonte de tensão ao semicondutor tipo N, teremos os elétrons livres desse lado sendo repelidos pelo polo negativo da fonte. Esse é o “empurrão extra” necessário para levar os elétrons ao outro lado do diodo.