Análise dos parâmetros de entrada

I_E x V_BE para diversos V_CB

Ou seja, a análise da corrente de entrada, I_E (corrente do emissor) pela tensão base emissor V_BE, para diversos valores de tensão de saída, considerada V_CB. Veja o gráfico a seguir:

Essa figura faz você se lembrar de alguma coisa? Ao atingir a tensão 0,7V entre o terminal da base e o emissor, a corrente do emissor começa a subir rapidamente. Sim! A curva característica do diodo de silício, polarizado diretamente! O funcionamento é exatamente o mesmo porque a base é formada pelo semicondutor tipo N e o emissor é formado pelo semicondutor tipo P (transistor PNP). 0,7V é o valor de tensão da mesma barreira de potencial que era formada nos diodos. E veja que pouco importa qual a tensão da saída VCB, as curvas são muito parecidas entre elas. Acima de 0,7V, tal qual o diodo, o transistor está ativado e a corrente do emissor pode fluir.