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O grande diferencial dos FET, em relação aos TJB estudados previamente, é que nestes o controle da corrente de saída é feito a partir de uma corrente de entrada. Já nos transistores de efeito de campo, a corrente de saída é controlada por uma tensão de entrada.
Vamos falar de cada um deles.
Diferente do TBJ, que era um dispositivo bipolar, como o próprio nome já dizia, o JFET é um dispositivo unipolar, ou seja, enquanto no TBJ temos correntes de portadores minoritários e majoritários (elétrons e lacunas - dependendo do tipo de transistor - NPN ou PNP), no JFET temos apenas um desses portadores. Se forem elétrons, trata-se do JFET tipo canal N e, se forem lacunas, trata-se de um JFET tipo canal P. Na figura a seguir, podemos observar a simbologia utilizada para cada um desses JFETs.
Você pode observar também as siglas para cada uma das três portas, são elas G, D e S, que representam, respectivamente, os terminais de gate (porta), drain (dreno) e source (fonte).
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