Análise dos parâmetros de entrada

Analisaremos os parâmetros de entrada dessa configuração, que são a corrente da base (I_B), pela tensão base emissor (V_BE), para diversas tensões coletor emissor (V_CE). Assim, temos o gráfico abaixo:

Muito parecido com o gráfico dos parâmetros de entrada do transistor na configuração base comum, não é verdade? Ele está logo aqui embaixo. Faça uma comparação e encontre as diferenças!

Os gráficos são muito parecidos, a diferença está nos detalhes. Note primeiro a escala da corrente do emissor (configuração base comum) e a corrente da base (configuração emissor comum). A primeira está numa escala de mili-amperes, enquanto a segunda está numa escala de micro-amperes, ou seja, mil vezes menor.

Vamos agora analisar a tensão base emissor. Com o mesmo aumento nos dois casos, temos curvas muito parecidas. Entretanto, repare que elas são mais inclinadas para uma maior tensão de coletor-base enquanto que uma maior inclinação é adquirida com uma tensão menor coletor emissor, ambas com parâmetro variável.

O comportamento do transistor com o aumento da tensão na junção base emissor é praticamente idêntico à configuração base comum. O transistor “liga” quando a tensão base emissor é maior do que 0,7V (transistores feitos de silício), proporcionando o aumento da corrente do emissor.